| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2412263 Nr producenta: RF4G100BGTCR EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 10 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 40 V Typ opakowania = HUML2020L8 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 10 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | HUML2020L8 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 2412263, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, ROHM, RF4G100BGTCR |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |