| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2398670 Nr producenta: SQJ186EP-T1_GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 60 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PowerPAK SO-8L Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 4 Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 60 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80 V | Typ opakowania: | PowerPAK SO-8L | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 4 | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2398670, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SQJ186EPT1_GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |