Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł IGBT Ic 825 A Uce 3300 V. 2 AG-IHVB130 2400 kW


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2365198
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FZ825R33HE4DBPSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 825 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 3300 V.
Maksymalna strata mocy = 2400 kW
Typ opakowania = AG-IHVB130
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
825 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
3300 V.
Maksymalna strata mocy:
2400 kW
Liczba tranzystorów:
2
Konfiguracja:
Pojedyncza
Typ opakowania:
AG-IHVB130
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2365198, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FZ825R33HE4DBPSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 4 456,962*
  
Cena obowiązuje od 1 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 2 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 2 szt.
PLN 4 629,142*
PLN 5 693,845
za szt.
od 4 szt.
PLN 4 612,042*
PLN 5 672,812
za szt.
od 10 szt.
PLN 4 530,662*
PLN 5 572,714
za szt.
od 20 szt.
PLN 4 484,882*
PLN 5 516,405
za szt.
od 1000 szt.
PLN 4 456,962*
PLN 5 482,063
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.