| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2363653 Nr producenta: IPB65R090CFD7ATMA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 25 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,09 Ω Maksymalne napięcie progowe VGS = 4.5V Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 25 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 700 V | Typ opakowania: | D2PAK (TO-263) | Seria: | CoolMOS™ | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0,09 Ω | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4.5V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2363653, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPB65R090CFD7ATMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |