| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2363645 Nr producenta: BSC005N03LS5IATMA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 433 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = OptiMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0055 Ω Maksymalne napięcie progowe VGS = 1.5V Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 433 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | TDSON | Seria: | OptiMOS™ | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0055 Ω | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 1.5V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2363645, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, BSC005N03LS5IATMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |