|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-2363570 Nr producenta:
SSM3J351R,LF(T EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Typ kanału = P
Maksymalny ciągły prąd drenu = 3,5 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 60 V
Typ opakowania = SOT-23
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 3
Maksymalna rezystancja dren-źródło = 1,29e+008 Ω
Maksymalne napięcie progowe VGS = 2V
Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: | | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 3,5 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | SOT-23 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 1,29e+008 Ω | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Krzem |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 2363570, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Toshiba, SSM3J351R,LF(T |
| | |
| |