| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2334376 Nr producenta: IPTC015N10NM5ATMA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 354 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V Seria = OptiMOS™ 5 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 16 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0015 Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 3.8V Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 354 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100 V | Typ opakowania: | PG HDSOP-16 (TOLT) | Seria: | OptiMOS™ 5 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 16 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0015 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3.8V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2334376, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPTC015N10NM5ATMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |