| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2333040 Nr producenta: STH12N120K5-2 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 12 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V Seria = STB37N60 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.69 Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 4.9V Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 12 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1200 V | Typ opakowania: | H2PAK-2 | Seria: | STB37N60 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.69 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4.9V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | SiC |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2333040, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, STMicroelectronics, STH12N120K52 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |