| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2326769 Nr producenta: ISZ0602NLSATMA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 64 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Typ opakowania = PQFN 3 x 3 Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0078 O, 0.0099 O. Maksymalne napięcie progowe VGS = 2.3V Materiał tranzystora = Si Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 64 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80 V | Typ opakowania: | PQFN 3 x 3 | Seria: | OptiMOS™ 5 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0078 O, 0.0099 O. | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.3V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Si |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2326769, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, ISZ0602NLSATMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |