Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

IGBT Ic 60 A Uce 650 V 1 TO-247-3-HCC Pojedynczy kanał: N 120 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2326744
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     IKWH60N65WR6XKSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 60 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 120 W
Konfiguracja = Pojedyncza
Typ montażu = Otwór przezierny
Typ kanału = N
Liczba styków = 3
Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
60 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
120 W
Liczba tranzystorów:
1
Konfiguracja:
Pojedyncza
Typ opakowania:
TO-247-3-HCC
Typ montażu:
Otwór przezierny
Typ kanału:
N
Liczba styków:
3
Konfiguracja tranzystora:
Pojedynczy
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2326744, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, IKWH60N65WR6XKSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 11,674*
  
Cena obowiązuje od 15 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 30 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 30 szt.
PLN 14,765*
PLN 18,161
za szt.
od 60 szt.
PLN 13,871*
PLN 17,061
za szt.
od 150 szt.
PLN 12,944*
PLN 15,921
za szt.
od 300 szt.
PLN 12,734*
PLN 15,663
za szt.
od 15000 szt.
PLN 11,674*
PLN 14,359
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.