| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2296504 Nr producenta: NVMTS4D3N15MC EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | The ON Semiconductor industrial power MOSFET in a 8x8mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable flank capable for enhanced optical inspection. It is used in reverser battery protection, switching power supplies and power switches.Compact design Minimize conduction losses Minimize driver losses Enhanced optical inspection Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 165 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 150 V | Typ opakowania: | DFNW8 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.00445 Ω | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4.5V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2296504, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NVMTS4D3N15MC |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |