| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2296474 Nr producenta: NTMFSC010N08M7 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | The ON Semiconductor N-Channel MOSFET is produced using an advanced power trench process. advancements in both silicon and dual cool package technologies have been combined to offer the lowest on state resistance while maintaining excellent switching performance by extremely low junction to ambient thermal resistance.Improved package thermal capability Reduces conduction loss Improved system efficiency Package material comply with latest requirements Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 61 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80 V | Typ opakowania: | DFN | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.01 Ω | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4.5V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2296474, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NTMFSC010N08M7 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |