| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2296463 Nr producenta: NTH4L060N090SC1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | The ON Semiconductor SiC Power series MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge.Highest efficiency Faster operation frequency Increased power density Reduced EMI Reduced system size Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 46 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650 V | Typ opakowania: | TO-247-4 | Seria: | SiC Power | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 4 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.084 Ω | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4.3V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | SiC |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2296463, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, onsemi, NTH4L060N090SC1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |