| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2291830 Nr producenta: IPC50N04S55R8ATMA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tranzystor Infineon n o normalnym poziomie mocy MOSFET używany do zastosowań motoryzacyjnych. Jest to 100 procent testowany lawinowy i AEC Q101 kwalifikacje.Jest zgodny z RoHS Temperatura działania wynosi 175°C. Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 50 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | SuperSO8 5 x 6 | Seria: | OptiMOS™ 5 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0058 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3.4V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Krzem |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 2291830, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPC50N04S55R8ATMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |