| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2291819 Nr producenta: IPB120P04P4L03ATMA2 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tranzystor MOSFET poziomu logiki kanału Infineon p ma najwyższą wydajność prądu i 100 procent testowanej lawiny. Ma najniższe straty mocy przełączania i przewodzenia, co zapewnia najwyższą sprawność termiczną.Jest zgodny z RoHS i zgodny z AEC Temperatura działania wynosi 175°C. Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 120 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | D2PAK (TO-263) | Seria: | IPB | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0031 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.2V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Krzem |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 2291819, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPB120P04P4L03ATMA2 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |