| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2282817 Nr producenta: Si3129DV-T1-GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = P Maksymalny ciągły prąd drenu = 5,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V Seria = TrenchFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 6 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0827 Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 2.5V Liczba elementów na układ = 2 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | P | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 5,4 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80 V | Typ opakowania: | TSOP-6 | Seria: | TrenchFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 6 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0827 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.5V | Liczba elementów na układ: | 2 | Materiał tranzystora: | Si |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2282817, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, Si3129DVT1GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |