Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

MOSFET P-kanałowy 5,4 A TSOP-6 80 V SMD 0.0827 Ω


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2282817
Producent:
     Vishay
Nr producenta:
     Si3129DV-T1-GE3
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
MOSFET
Tranzystor MOSFET
Tranzystory MOSFET
tranzystor mosfet
Typ kanału = P
Maksymalny ciągły prąd drenu = 5,4 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V
Seria = TrenchFET
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Liczba styków = 6
Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0827 Ω
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS = 2.5V
Liczba elementów na układ = 2
Dalsze informacje:
Typ kanału:
P
Maksymalny ciągły prąd drenu:
5,4 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:
80 V
Typ opakowania:
TSOP-6
Seria:
TrenchFET
Typ montażu:
Montaż powierzchniowy
Liczba styków:
6
Maksymalna rezystancja dren-źródło:
0.0827 Ω
Tryb kanałowy:
Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:
2.5V
Liczba elementów na układ:
2
Materiał tranzystora:
Si
Dalsze słowa kluczowe: 2282817, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, Si3129DVT1GE3
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 1,10*
  
Cena obowiązuje od 75 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 25 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 25 szt.
PLN 2,726*
PLN 3,353
za szt.
od 50 szt.
PLN 2,706*
PLN 3,328
za szt.
od 125 szt.
PLN 2,616*
PLN 3,218
za szt.
od 250 szt.
PLN 2,272*
PLN 2,795
za szt.
od 500 szt.
PLN 2,232*
PLN 2,745
za szt.
od 625 szt.
PLN 2,103*
PLN 2,587
za szt.
od 1250 szt.
PLN 1,611*
PLN 1,982
za szt.
od 2500 szt.
PLN 1,24*
PLN 1,525
za szt.
od 75000 szt.
PLN 1,10*
PLN 1,353
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.