| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2259965 Nr producenta: SQJQ148ER-T1_GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Firma Vishay Siliconix utrzymuje dane dotyczące niezawodności technologii półprzewodników i niezawodności pakietów, co stanowi złożony materiał wszystkich wykwalifikowanych lokalizacji.Kwalifikacja AEC-Q101 100 % badanych RG i UIS Cienkie opakowanie 1.6 mm Bardzo niska odporność termiczna Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 372 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | PowerPAK 8 x 8LR | Seria: | N-Channel 40 V | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0031 Ω | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3.5V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 2259965, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SQJQ148ERT1_GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |