Dioda TO-247 10A SMD 1200VDioda Schottky'ego SiC Dioda Schottky'ego SiC IDWD10G120C5XKSA1

Diody Infineon CoolSiC™ Schottkyego generacji 5 1200 V, 10 A są teraz dostępne w 247-stykowym opakowaniu TO-2, co umożliwia łatwą wymianę diod dwubiegunowych Si powszechnie stosowanych obecnie. Rozszerzone odległości między przeciekami i prześwitami 8.7 mm w nowym opakowaniu zapewniają dodatkowe bezpieczeństwo w środowiskach o wysokim poziomie zanieczyszczenia. W połączeniu z tranzystorem Si IGBT lub tranzystorem MOSFET o super skrzyżowaniu, na przykład w przypadku prostownika Wiedeńskiego lub stopnia wzmacniającego PFC stosowanego w 3-fazowych systemach konwersji, dioda CoolSiC™ zwiększa wydajność do 1% w porównaniu z następną najlepszą alternatywą diod Si.Brak prądu powrotu do pozycji jazdy do tyłu, brak napięcia powrotu do pozycji jazdy do przodu Działanie przełączania niezależne od temperatury Niskie napięcie jazdy do przodu, nawet przy wysokiej temperaturze roboczej Ciasny rozkład napięcia jazdy do przodu Wysoka wytrzymałość na prąd udarowy Prawdziwy pakiet dwukołkowy z 8.7 mm szczelinami i odległościami prześwitu