| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2224687 Nr producenta: IPN70R1K2P7SATMA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 9,4 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 700 V Seria = CoolMOS™ Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 1.2 Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 3.5V Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 9,4 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 700 V | Typ opakowania: | SOT-223 | Seria: | CoolMOS™ | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 1.2 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3.5V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Krzem |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2224687, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPN70R1K2P7SATMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |