|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-2222888 Nr producenta:
DMTH48M3SFVW-7 EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Tryb wzmocnienia kanału N DiodesZetex MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu (RDS(ON)), a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni go idealnym rozwiązaniem dla aplikacji do zarządzania energią o wysokiej wydajności.Temperatura otoczenia do +175°C, idealna do pracy w wysokich temperaturach otoczenia Doskonały produkt Qgd x rds(on) (fom) Niski poziom rds (włączony) zapewnia zminimalizowanie strat na stanie Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 52.4 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | PowerDI3333-8 | Seria: | DMTH | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.008 O. | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Materiał tranzystora: | Plastik |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 2222888, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, DMTH48M3SFVW7 |
| | |
| |