| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2222880 Nr producenta: DMT64M8LCG-7 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tryb wzmocnienia kanału N DiodesZetex MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować RDS (WŁĄCZONY), a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania. To urządzenie doskonale nadaje się do zarządzania zasilaniem i obciążeniem akumulatora notebooka.Wysoka wydajność konwersji Niski poziom RDS (WŁĄCZONY) — ograniczenie strat stanu Niska pojemność wejściowa Wysoka szybkość przełączania Bramka chroniona ESD Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 16,1 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | V-DFN3333 | Seria: | DMT | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.004 O. | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.4V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Plastik |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2222880, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, DMT64M8LCG7 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |