| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2222873 Nr producenta: DMT4014LDV-7 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tryb wzmocnienia kanału N DiodesZetex MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu (RDS(ON)), a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni go idealnym rozwiązaniem dla aplikacji do zarządzania energią o wysokiej wydajności.Low RDS(ON) (Niski poziom sygnału RDS (WŁĄCZONY)) — zapewnia zminimalizowanie strat na poziomie państwa Niska rezystancja w stanie włączenia Niska pojemność wejściowa Wysoka szybkość przełączania Niski przeciek wejścia/wyjścia Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 26.5 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | PowerDI3333-8 | Seria: | DMT | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.019 O. | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3V | Materiał tranzystora: | Plastik |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 2222873, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, DMT4014LDV7 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |