| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2222839 Nr producenta: DMN33D8LDWQ-7 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | System MOSFET z podwójnym n-kanalikowym trybem wzmocnienia DiodesZetex został zaprojektowany z myślą o spełnieniu surowych wymagań w zakresie zastosowań motoryzacyjnych. Urządzenie jest zgodne z normą AEC-Q101, obsługiwaną przez protokół PPAP.Niska rezystancja w stanie włączenia Niska pojemność wejściowa Wysoka szybkość przełączania Ochrona przed wyładowaniami elektrostatycznymi Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 250 mA | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | SOT-363 | Seria: | DMN | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 6 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 2.4 O. | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 1.5V | Materiał tranzystora: | Plastik |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2222839, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, DMN33D8LDWQ7 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |