| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2216601 Nr producenta: NCD57201DR2G EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | ON Semiconductor NCx57201 to wysokoprzepięciowy sterownik bramki z jednym nieizolowanym sterownikiem bramki po stronie niskiej i jednym galwanicznie izolowanym sterownikiem bramki po stronie wysokiej lub niskiej. Może bezpośrednio prowadzić dwa tranzystory IGBT w konfiguracji półmostowej. Izolowany sterownik strony wysokiej może być zasilany z izolowanego zasilacza lub z techniką bootstrap z zasilacza strony niskiej.Niski spadek napięcia wyjściowego zapewnia lepsze przewodzenie IGBT Pływający kanał do pracy z bootstrap do +800 V. CMTI do 100 kV/s. Niezawodne działanie dla obrotu ujemnego VS do -800 V. Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Prąd wyjściowy: | 1,9 A | Napięcie zasilania: | 20V | Liczba styków: | 8 | Czas zanikania: | 8ns | Typ opakowania: | SOIC |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, Sterownik analogowy IC, Sterowniki analogowe IC, Sterownik IC, Sterowniki IC, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2216601, Półprzewodniki, Zarządzanie zasilaniem, Sterowniki bramki, onsemi, NCD57201DR2G |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |