Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 42 A DPAK (TO-252) 55 V SMD 0.0075 O.

Tranzystory MOSFET Infineon OptiMOS z kanałami N zostały opracowane w celu zwiększenia wydajności, gęstości mocy i opłacalności. Produkty OptiMOS, przeznaczone do zastosowań o wysokiej wydajności i zoptymalizowane pod kątem wysokiej częstotliwości przełączania, przekonują do najlepszych w branży osiągnięć. Seria tranzystorów MOSFET OptiMOS POWER, uzupełniona obecnie silnym systemem IRFET, tworzy naprawdę wydajne połączenie. Skorzystaj z doskonałego dopasowania solidnych i doskonałych cen/wydajności mocnych tranzystorów MOSFET IRFET oraz najlepszej w swojej klasie technologii tranzystorów MOSFET OptiMOS. Obie rodziny produktów odpowiadają na najwyższe standardy jakości i wymagania w zakresie wydajności. Wspólne portfolio, obejmujące napięcia od 12 V do 300 V MOSFET, może zaspokoić szeroki zakres potrzeb od niskich do wysokich częstotliwości przełączania, takich jak SMPS, aplikacje zasilane bateriami, sterowanie silnikiem i napędy, falowniki i komputery.Zoptymalizowane pod kątem najszerszej dostępności od partnerów dystrybucyjnych Kwalifikacje produktu zgodne z normą JEDEC Poziom normalny : zoptymalizowany pod kątem napięcia 10 V przy bramce napędowej Standardowy w branży zestaw do montażu powierzchniowego Możliwość lutowania falowego