| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2207486 Nr producenta: IRFH7932TRPBF EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 25 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 30 V Seria = HEXFET Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.0033 O. Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 20V Liczba elementów na układ = 2 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 25 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | PQFN 5 x 6 | Seria: | HEXFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0033 O. | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 20V | Liczba elementów na układ: | 2 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory MOSFET, Dioda SMD, Diody SMD, Tranzystor SMD, Tranzystory SMD, Tranzystor, Tranzystory, dioda smd, 2207486, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IRFH7932TRPBF |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |