Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 151 A ThinkPAK 8 x 8 650 V SMD 0.065 O.

Tranzystor MOSFET Infineon 600V Cool MOS P7 SUPER JUŁĄCZN (SJ) jest następcą serii 600V Cool MOS P6. W dalszym ciągu równoważy on potrzebę wysokiej wydajności z łatwością obsługi w procesie projektowania. Najlepsze w swojej klasie urządzenie R onxA i niski poziom naładowania bramy (Q G) platformy 7. Generacji Cool MOS zapewniają wysoką wydajność.600 V P7 zapewnia doskonałe FOM RDS(on)xEoss i RDS(on)xQG Wytrzymałość ESD ≥ 2 kV (HBM klasa 2) Wbudowany rezystor bramki RG Dioda z wytrzymałym korpusem Szeroka oferta w pakietach do montażu powierzchniowego i otworów przelotowych Dostępne są zarówno części klasy standardowej, jak i przemysłowej Doskonałe FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss pozwalają na wyższą wydajność Łatwość obsługi w środowiskach produkcyjnych poprzez zatrzymanie błędów ESD Zintegrowana funkcja RG zmniejsza czułość oscylacji MOSFET MOSFET nadaje się zarówno do twardych, jak i donosowych topologii przełączania Takie jak PFC i LLC Doskonała wytrzymałość podczas ostrej komutacji widzianej diody nadwozia W topologii LLC Nadaje się do szerokiej gamy zastosowań końcowych i wydruków uprawnień Dostępne części przeznaczone do zastosowań konsumenckich i przemysłowych