|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-2207395 Nr producenta:
IPB70N12S311ATMA1 EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Infineon oferuje szeroką gamę tranzystorów MOSFET z zasilaniem samochodowym o napięciu 120 V, 150 V, 200 V, 250 V i 300 V przeznaczonych do zastosowań w przetwornice do pojazdów z napędem elektrycznym (LSEV, e-motocykle, e-hulajnogi), konwersji DC/AC, I rejestratory pokładowe, a także synchroniczne prostowanie HV-12V DC/DC dla pojazdów akumulatorowych z napędem elektrycznym (BEV) dla powstającego rynku 48 V, sprawdź nasze nowo wprowadzone produkty 100V w TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) i SSO8 (TDSON-8).OptiMOSTM - MOSFET mocy do zastosowań motoryzacyjnych Tryb rozszerzenia kanału N Motoryzacyjny AEC Q101 MSL1 do 260°C Relow Peak Temperatura pracy: 175°C Dalsze informacje: | | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 70 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 120 V | Typ opakowania: | D2PAK (TO-263) | Seria: | OptiMOS™ | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0113 O. | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory MOSFET, Dioda SMD, Diody SMD, Tranzystor SMD, Tranzystory SMD, Tranzystor, Tranzystory, dioda smd, 2207395, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPB70N12S311ATMA1 |
| | |
| |