| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2207393 Nr producenta: IPB65R190CFDAATMA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tranzystor MOSFET Infineon 650V Cool MOS CFDA Super JUŁĄCZON (SJ) to druga generacja wiodących na rynku tranzystorów MOSFET wysokiej mocy Cool MOS firmy Infleon. Oprócz znanych cech wysokiej jakości i niezawodności wymaganych przez przemysł motoryzacyjny, seria CFDA 650V Cool MOS stanowi również zintegrowaną szybką diodę ciała.Pierwsza technologia 650V z wbudowaną diodą FAST Body na rynku Ograniczone przeciążenie napięcia podczas gwałtownej komutacji – samoczynne ograniczenie di/dt i dv/dt Niska wartość ładowania bramki Q g Niski Q rr przy częstej komutacji diody nadwozia i. Niska wartość Q oss Skrócenie czasu włączania i opóźnienia Zwiększony margines bezpieczeństwa ze względu na wyższe napięcie przebicia Zredukowany wygląd EMI i łatwość projektowania w. Większa wydajność przy lekkim obciążeniu Niższe straty przy przełączaniu Możliwa wyższa częstotliwość przełączania i/lub wyższy cykl roboczy Wysoka jakość i niezawodność Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 57.2 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650 V | Typ opakowania: | D2PAK (TO-263) | Seria: | CoolMOS™ P7 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.19 O. | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4.5V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory MOSFET, Dioda SMD, Diody SMD, Tranzystor SMD, Tranzystory SMD, Tranzystor, Tranzystory, dioda smd, 2207393, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPB65R190CFDAATMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |