Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy 100 A D2PAK (TO-263) 75 V 0.00065 O.


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2207387
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     IPB100N08S2L07ATMA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
Dioda
Diody
MOSFET
Tranzystor MOSFET
Typ kanału = N
Maksymalny ciągły prąd drenu = 100 A
Maksymalne napięcie dren-źródło = 75 V
Seria = OptiMOS™
Typ montażu = Otwór przezierny
Liczba styków = 3
Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.00065 O.
Tryb kanałowy = Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS = 2V
Liczba elementów na układ = 1
Dalsze informacje:
Typ kanału:
N
Maksymalny ciągły prąd drenu:
100 A
Maksymalne napięcie dren-źródło:
75 V
Typ opakowania:
D2PAK (TO-263)
Seria:
OptiMOS™
Typ montażu:
Otwór przezierny
Liczba styków:
3
Maksymalna rezystancja dren-źródło:
0.00065 O.
Tryb kanałowy:
Rozszerzenie
Maksymalne napięcie progowe VGS:
2V
Liczba elementów na układ:
1
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory MOSFET, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor mosfet, 2207387, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPB100N08S2L07ATMA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 15,881*
  
Cena obowiązuje od 15 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 5 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 5 szt.
PLN 25,634*
PLN 31,53
za szt.
od 10 szt.
PLN 22,917*
PLN 28,188
za szt.
od 25 szt.
PLN 22,117*
PLN 27,204
za szt.
od 50 szt.
PLN 21,677*
PLN 26,663
za szt.
od 100 szt.
PLN 19,579*
PLN 24,082
za szt.
od 250 szt.
PLN 18,181*
PLN 22,363
za szt.
od 500 szt.
PLN 17,691*
PLN 21,76
za szt.
od 15000 szt.
PLN 15,881*
PLN 19,534
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.