| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2207366 Nr producenta: IAUT200N08S5N023ATMA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Infineon oferuje szeroką gamę tranzystorów MOSFET o mocy 75 V-100 V z kanałów N, wykorzystujących nową technologię OptiMOS w różnych pakietach. Zakres RDS(on) wynosi od 1,2 do 190 mm, redukując emisję CO2 przez samochody osobowe przyspiesza przyjęcie sieci deskę 48 V, a tym samym 48 V, podobnie jak rozruszniki (Główny inwerter), główne przełączniki akumulatora, przetwornica DCDC oraz urządzenia pomocnicze 48 V. Na tym wschodzących rynkach firma Infineon oferuje szeroką gamę tranzystorów MOSFET samochodowych 80V i 100V, Są one umieszczone w różnych typach opakowań, takich jak TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), TOLT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) i S308 (TSDSON-8), w celu zapewnienia rozwiązań dla różnych wymagań zasilania, jak również różnych koncepcji chłodzenia na poziomie elektronicznej jednostki sterującej (ECU). Obok zastosowań 48 V tranzystory MOSFET 80 V i 100 V są również używane na przykład w oświetleniu LED, wtrysku paliwa, a także w samochodowym ładowaniu bezprzewodowym.Tryb rozszerzenia kanału N MSL1 do 260°C Relow Peak Temperatura pracy: 175°C Bardzo niski poziom RDS (włączony) 100% testowano na Awalanche Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 200 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 80 V | Typ opakowania: | HSOF-8 | Seria: | OptiMOS™ 5 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0023 O. | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3.8V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory MOSFET, Dioda SMD, Diody SMD, Tranzystor SMD, Tranzystory SMD, Tranzystor, Tranzystory, dioda smd, 2207366, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IAUT200N08S5N023ATMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |