Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 EASY2B kanał: N 20 mW


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2184358
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FP75R12KT4PBPSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V
Maksymalna strata mocy = 20 mW
Typ opakowania = EASY2B
Typ kanału = N
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
75 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
20V
Maksymalna strata mocy:
20 mW
Liczba tranzystorów:
7
Typ opakowania:
EASY2B
Typ kanału:
N
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2184358, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FP75R12KT4PBPSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 3 892,938*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 6 szt. (od PLN 648,823* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 4 162,89804*
PLN 5 120,36459
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 4 128,258*
PLN 5 077,75734
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 4 040,82804*
PLN 4 970,21849
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 3 981,29802*
PLN 4 896,99656
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 3 892,938*
PLN 4 788,31374
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.