| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2183109 Nr producenta: IRFR3711ZTRPBF EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Jednokanałowy tranzystor MOSFET Infineon HEXFET 20V. To urządzenie jest idealne do zastosowań o niskiej częstotliwości wymagających wydajności i wytrzymałości.Bardzo niska impedancja bramki Nie zawiera ołowiu Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 93 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20 V | Typ opakowania: | DPAK (TO-252) | Seria: | HEXFET | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0078 Ω | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.45V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Si |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2183109, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IRFR3711ZTRPBF |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |