| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2183055 Nr producenta: IPD90N10S4L06ATMA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tranzystor MOSFET z serii Infineon OptiMOS™-T2 o mocy N-kanal. Ma niskie straty mocy przełączania i przewodzenia dla wysokiej wydajności cieplnej.Tryb rozszerzenia kanału N MSL1 do 260°C Relow Peak Temperatura pracy: 175°C Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 90 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100 V | Typ opakowania: | DPAK (TO-252) | Seria: | OptiMOS™ -T2 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0066 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.1V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Si |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2183055, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPD90N10S4L06ATMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |