|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-2155779 Nr producenta:
FM24C04B-GTR EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Cypress Semiconductor FM24C04B to pamięć nieulotna 4 kbit wykorzystującą ferroelektryczny proces Advanced. Ferroelektryczna pamięć o dostępie swobodnym lub pamięć F-RAM jest trwała i wykonuje odczyty i zapisy podobne do pamięci RAM. Zapewnia niezawodne przechowywanie danych przez 151 lat, eliminując jednocześnie złożoność, narzut i problemy z niezawodnością na poziomie systemu spowodowane przez pamięć EEPROM i inne nieulotne pamięci.4-Kbit ferroelektryczna pamięć o dostępie swobodnym (F-RAM) logicznie zorganizowana jako 512 x 8 Wysoka wytrzymałość 100 bilionów (1014) do odczytu/zapisu 151-letnie przechowywanie danych Zapis NoDelay™ Advanced wysokiej niezawodności ferroelektryczny proces Dalsze informacje: | | Rozmiar pamięci: | 4kbit | Organizacja: | 512 x 8 | Typ złącza: | I2C | Szerokość magistrali danych: | 8bit | Maksymalny czas dostępu swobodnego: | 10ns | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Typ opakowania: | SOIC | Liczba styków: | 8 | Wymiary: | 4.97 x 3.98 x 1.48mm | Długość: | 4.97mm | Maksymalne robocze napięcie zasilania: | 5,5 V | Szerokość: | 3.98mm | Wysokość: | 1.48mm | Maksymalna temperatura robocza: | +85°C | Norma motoryzacyjna: | AEC-Q100 |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: 2155779, Półprzewodniki, Pamięci, Infineon, FM24C04BGTR |
| | |
| |