| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2149112 Nr producenta: IPSA70R950CEAKMA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Infineon CoolMOS to rewolucyjna technologia dla tranzystorów MOSFET o wysokim napięciu zasilania, zaprojektowana zgodnie z zasadą SUPER JUJUNK (SJ) i pionierem technologii Infineon. CoolMOS CE to zoptymalizowana pod względem ceny platforma umożliwiająca adresowanie aplikacji o znaczeniu kosztowym na rynkach konsumenckich i oświetleniowych poprzez spełnianie najwyższych standardów wydajności. Nowa seria zapewnia wszystkie korzyści wynikające z szybkiego przełączania Super JUŁĄCZONA MOSFET, nie poświęcając jednocześnie łatwości obsługi i oferując najlepszy stosunek wydajności do kosztów dostępny na rynku.Łatwa obsługa/jazda Bardzo wysoka wytrzymałość komutacyjna Przeznaczone do zastosowań standardowych Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 8,7 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 700 V | Typ opakowania: | IPAK (TO-251) | Seria: | CoolMOS™ CE | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.95 O. | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3.5V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Si |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2149112, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPSA70R950CEAKMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |