Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

IGBT Ic 100 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: N 660 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2148785
Producent:
     onsemi
Nr producenta:
     AFGY100T65SPD
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Tranzystor
SERIA ON Semiconductor AFGY to IGBT z miękką diodą szybkiego odzyskiwania, która zapewnia bardzo niskie przewodzenie i straty na przełączniku dla wysokiej wydajności pracy w różnych zastosowaniach, wytrzymałość na przejściowe stany przejściowe i niskie EMI.Ścisły rozkład parametrów Wysoka impedancja wejściowa Wytrzymałość na zwarcie Zapakowany w miękką diodę szybkiego powrotu do normalnego stanu
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
100 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
660 W
Liczba tranzystorów:
1
Typ opakowania:
TO-247
Typ kanału:
N
Liczba styków:
3
Konfiguracja tranzystora:
Pojedynczy
Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2148785, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, onsemi, AFGY100T65SPD
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 32,916*
  
Cena obowiązuje od 15 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 30 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 30 szt.
PLN 39,083*
PLN 48,072
za szt.
od 60 szt.
PLN 36,711*
PLN 45,155
za szt.
od 90 szt.
PLN 36,216*
PLN 44,546
za szt.
od 150 szt.
PLN 35,326*
PLN 43,451
za szt.
od 300 szt.
PLN 34,546*
PLN 42,492
za szt.
od 15000 szt.
PLN 32,916*
PLN 40,487
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.