| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2144362 Nr producenta: IPAW60R280P7SXKSA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Ten superwęzeł MOSFET Infineon 600V Cool MOS P7 nadal równowaga między potrzebą wysokiej wydajności a łatwością obsługi w procesie projektowania. Najlepszy w swojej klasie RonxA i niski poziom naładowania bramki (QG) platformy Cool MOS™ 7. Generacji zapewniają wysoką wydajność.Posiada wytrzymałą diodę nadwozia Zintegrowana funkcja RG zmniejsza czułość oscylacji MOSFET Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 12 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600 V | Typ opakowania: | TO-220 FP | Seria: | CoolMOS™ P7 | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.28 Ω | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2144362, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, IPAW60R280P7SXKSA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |