| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2144339 Nr producenta: BSZ034N04LSATMA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Ten tranzystor Infineon Power MOSFET to doskonały wybór do synchronicznej prostowania w zasilaczach Switched Mode (SMPS), takich jak serwery i komputery stacjonarne. Ponadto urządzenia te mogą być używane do szerokiego zakresu zastosowań przemysłowych, w tym sterowania silnikiem i przetwornicy DC-DC z szybkim przełączaniem.Zapewnia wysoką wydajność systemu Jest w 100% testowany Avalanche Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 40 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40 V | Typ opakowania: | PQFN 3 x 3 | Seria: | OptiMOS™ | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.0046 Ω | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: tranzystor mosfet, 2144339, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Infineon, BSZ034N04LSATMA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |