| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2139186 Nr producenta: DMN3190LDWQ-7 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | MOSFET serii DiodesZetex DMN3190LDWQ został zaprojektowany tak, aby spełniać rygorystyczne wymagania aplikacji motoryzacyjnych.Niska pojemność wejściowa Wysoka szybkość przełączania Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 1 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30 V | Typ opakowania: | SOT-363 | Seria: | DMN3190LDWQ | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 6 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.19 O. | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 2.8V | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2139186, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, DMN3190LDWQ7 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |