| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2122109 Nr producenta: STWA68N65DM6 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 48 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 650 V Seria = STWA68N65DM6 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0.059 Ω Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 4.75V Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 48 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650 V | Typ opakowania: | TO-247 | Seria: | STWA68N65DM6 | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0.059 Ω | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4.75V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Si |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2122109, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, STMicroelectronics, STWA68N65DM6 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |