| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2105051 Nr producenta: SQJA66EP-T1_GE3 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Kanał N Vishay MOSFET ma typ pakietu PowerPAK SO-8L.Wartości R-C dla obwodu elektrycznego we wspomaganiu/zbiorniku i. w zestawie znajdują się konfiguracje przestrogi/filtrów Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | PowerPAK SO-8L | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 4 | Liczba elementów na układ: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2105051, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Vishay, SQJA66EPT1_GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |