Moduł IGBT Ic 422 A Uce 1200 V 2 Półmostek układ podwójny kanał: N

Moduł Semikron Semitrans 3 Fast IGBT 4 należy do generacji IGBT4, co może być preferowanym wyborem w zastosowaniach takich jak spawacze elektroniczne przy przełączaniu częstotliwości do 20 kHz, napędy falownikowe prądu zmiennego i UPS. Chipset zapewnia izolowaną miedzianą płytę bazową przy użyciu technologii DBC (Direct Bonded Copper) i zintegrowaną z modułem diodę CAL 4 generacji.Wbudowany rezystor bramki Zwiększone możliwości włączania i wyłączania zasilania oraz miękkie przełączanie Dwie serie IGBT Temperatura robocza = od -40 do 150 C.