| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2068634 Nr producenta: STP50N60DM6 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 36 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Typ opakowania = DO-LL-HV Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 8 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 80 miliomów Tryb kanałowy = Rozszerzenie Maksymalne napięcie progowe VGS = 4.75V Materiał tranzystora = Si Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 36 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600 V | Typ opakowania: | DO-LL-HV | Seria: | STP50N60DM6 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 80 miliomów | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4.75V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Si |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2068634, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, STMicroelectronics, STP50N60DM6 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |