| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2060097 Nr producenta: DMNH6035SPDW-13 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tryb wzmocnienia kanału N DiodesZetex 60V MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować opór przy włączaniu, a jednocześnie utrzymać najwyższą wydajność przełączania, co czyni go idealnym rozwiązaniem dla aplikacji do zarządzania energią o wysokiej wydajności. Jego napięcie źródła bramy wynosi 20 V z rozpraszania mocy cieplnej 2.4 W.Temperatura znamionowa do +175°C jest idealna do pracy w wysokich temperaturach otoczenia Niska QG – minimalizuje straty przy przełączaniu Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 33 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60 V | Typ opakowania: | PowerDI5060-8 | Seria: | DMNH6035 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0,044 oma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Si |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2060097, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, DMNH6035SPDW13 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |