| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2060073 Nr producenta: DMN10H170SFGQ-7 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tryb wzmocnienia pary uzupełniającej DiodesZetex 100V MOSFET został zaprojektowany tak, aby spełniał rygorystyczne wymagania aplikacji motoryzacyjnej. Urządzenie spełnia funkcję AEC-Q101, obsługiwane przez PPAP i jest idealne do sterowania silnikiem i zarządzania energią.Niski poziom RDS (WŁ.) — minimalizuje straty w stanie Obudowa o małej wielkości, wydajna termicznie Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 3,7 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100 V | Typ opakowania: | PowerDI3333-8 | Seria: | DMN10 | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 8 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0,133 oma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 3V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | Si |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2060073, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, DiodesZetex, DMN10H170SFGQ7 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |