| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2025743 Nr producenta: NVH4L160N120SC1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tranzystor MOSFET z węglika krzemu ON Semiconductor pracuje z 17.3 amperami i 1200 woltami. Może być używany w samochodowej ładowarce pokładowej, przetwornicy DC lub DC.Zgodność z normą AEC Q101 W 100% przebadany pod kątem zjawiska lawinowego Niska efektywna pojemność wyjścia Zgodność z RoHS Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 17,3 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1200 V | Typ opakowania: | TO-247-4 | Seria: | NVH | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 4 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0,16 oma | Tryb kanałowy: | Rozszerzenie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4.3V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | SiC |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |