Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł IGBT Ic 35 A Uce 650 V 6 DIP26 kanał: N


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2025681
Producent:
     onsemi
Nr producenta:
     NXH35C120L2C2SG
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
MODUŁ on Semiconductor Transferred Power zawierający układ przemiennika-inwertera-hamulca składający się z sześciu prostowników 35 A i 1600 V, sześciu przetworników IGBT 35 A i 1200 V z diodami odwrotnymi, jednego 35 A i 1200 V hamulca IGBT z diodą hamulca i termistorem NTC.Niska rezystancja termiczna odległość 6 mm między sworzniem a radiatorem Styki lutowane Termistor Bez zawartości ołowiu Bez halogenów lub bez BFR Zgodność z RoHS
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
35 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20.0V
Liczba tranzystorów:
6
Konfiguracja:
3-fazowe
Typ opakowania:
DIP26
Typ montażu:
Otwór przezierny
Typ kanału:
N
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, moduł igbt, 2025681, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, onsemi, NXH35C120L2C2SG
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
PLN 359,932*
  
Cena obowiązuje od 6 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 6 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.