| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2025510 Nr producenta: STF33N60DM6 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tranzystor STMicroelectronics N-Channel Power MOSFET jest częścią serii diod szybkiego odzyskiwania MDMesh™ DM6. W porównaniu z poprzednią generacją siatek MDMesh, DM6 łączy bardzo niski poziom naładowania (Qrr), czas powrotu do normalnego stanu (trr) i doskonałą poprawę w zakresie sygnału RDS(ON) na danym obszarze z jednym z najbardziej skutecznych zachowań przełączania dostępnych na rynku.Niska rezystancja wejściowa bramki W 100% przebadany pod kątem zjawiska lawinowego Zabezpieczenie z wykorzystaniem diody Zenera Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 25 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600 V | Typ opakowania: | TO-220FP | Seria: | ST | Typ montażu: | Otwór przezierny | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0,115 oma | Tryb kanałowy: | Wyczerpanie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4.75V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | SiC |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2025510, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, STMicroelectronics, STF33N60DM6 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |