| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2025495 Nr producenta: STB33N60DM6 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Typ kanału = N Maksymalny ciągły prąd drenu = 25 A Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V Seria = ST Typ montażu = Montaż powierzchniowy Liczba styków = 3 Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,115 oma Tryb kanałowy = Wyczerpanie Maksymalne napięcie progowe VGS = 4.75V Liczba elementów na układ = 1 Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Typ kanału: | N | Maksymalny ciągły prąd drenu: | 25 A | Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600 V | Typ opakowania: | D2PAK (TO-263) | Seria: | ST | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Liczba styków: | 3 | Maksymalna rezystancja dren-źródło: | 0,115 oma | Tryb kanałowy: | Wyczerpanie | Maksymalne napięcie progowe VGS: | 4.75V | Liczba elementów na układ: | 1 | Materiał tranzystora: | SiC |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: 2025495, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, STMicroelectronics, STB33N60DM6 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |